반도체 몸체, 절연 층 및 평면 도체 구조물을 갖는 광전자 소자 그리고 상기 광전자 소자를 제조하기 위한 방법(OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A SEMICONDUCTOR BODY, AN INSULATING LAYER, AND A PLANAR CONDUCTOR STRUCTU..

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 공개특허공보(A)
(11) 공개번호 10-2012-0055723
(43) 공개일자 2012년05월31일
(51) 국제특허분류(Int. Cl.)
H01L 33/44 (2010.01) H01L 33/48 (2010.01)
H01L 33/62 (2010.01)
(21) 출원번호 10-2012-7008647
(22) 출원일자(국제) 2010년08월05일
심사청구일자 없음
(85) 번역문제출일자 2012년04월03일
(86) 국제출원번호 PCT/EP2010/061443
(87) 국제공개번호 WO 2011/026709
국제공개일자 2011년03월10일
(30) 우선권주장
10 2009 039 890.2 2009년09월03일 독일(DE)
(71) 출원인
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
독일 레겐스부르크 라이브니츠슈트라쎄 4 (
우:93055)
(72) 발명자
바이트너, 카를
독일 81245 뮌헨 차우저베크 6
비르트, 랄프
독일 93138 라퍼스도르프 암 슐라크 33
(뒷면에 계속)
(74) 대리인
남상선
전체 청구항 수 : 총 15 항
(54) 발명의 명칭 반도체 몸체, 절연 층 및 평면 도체 구조물을 갖는 광전자 소자 그리고 상기 광전자 소자를
제조하기 위한 방법
(57) 요 약
본 발명은 방사선 방출면(20)을 갖는 하나 이상의 반도체 몸체(2)를 포함하는 광전자 소자(10)와 관련이 있다.
상기 방사선 방출면(20)과 마주한 상기 반도체 몸체(2)의 면이 기판(1) 상에 배치되어 있으며, 이 경우 상기
방사선 방출면(20) 상에는 하나 이상의 전기 접속 영역(22)이 배치되어 있다. 상기 전기 접속 영역(22) 상에
는 금속 피복 마운드(3)가 배치되어 있다. 또한, 상기 반도체 몸체(2)는 적어도 부분적으로 절연 층(4)을 가
지며, 이 경우 상기 금속 피복 마운드(3)는 상기 절연 층(4)보다 더 돌출한다. 상기 절연 층(4) 위에는 상기
반도체 몸체(2)의 평면 콘택팅을 위해 하나 이상의 평면 도체 구조물(5)이 배치되어 있고, 상기 도체 구조물은
상기 금속 피복 마운드(3)에 의해 상기 전기 접속 영역(22)과 도전성으로 접속되어 있다. 더 나아가 본 발명
은 상기와 같은 유형의 광전자 소자(10)를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.
대 표 도 - 도1
공개특허 10-2012-0055723
- 1 -
(72) 발명자
칼텐바허, 악셀
독일 93098 민트라칭 임 안게르 13
베크라이터, 발터
독일 93152 니텐도르프 마리엔슈트라쎄 15
바르크만, 베른트
독일 93059 레겐스부르크 퀴니체 슈트라쎄 11
부츠, 올리버
독일 93049 레겐스부르크 로터 브라흐베크 80 아
마르펠트, 얀
독일 93055 레겐스부르크 텔루스베크 2
공개특허 10-2012-0055723
- 2 -
특허청구의 범위
청구항 1
방사선 방출면(20)을 갖는 하나 이상의 반도체 몸체(2)를 포함하는 광전자 소자(10)로서,
상기 방사선 방출면(20)과 마주한 상기 반도체 몸체의 면이 기판(1) 상에 배치되어 있고,
금속 피복 마운드(metallization mound)(3)가 그 위에 배치된 하나 이상의 전기 접속 영역(22)이 상기 방사선
방출면(20) 상에 배치되어 있으며,
상기 반도체 몸체(2)가 적어도 부분적으로 절연 층(4)을 갖고, 상기 금속 피복 마운드(3)는 상기 절연 층(4)
보다 더 돌출하며, 그리고
상기 절연 층(4) 위에는 상기 반도체 몸체(2)의 평면 콘택팅을 위해 하나 이상의 평면 도체 구조물(5)이 배치
되어 있고, 상기 도체 구조물이 상기 금속 피복 마운드(3)에 의해 상기 전기 접속 영역(22)과 도전성으로 접
속되어 있는,
광전자 소자.
청구항 2
제 1 항에 있어서,
상기 금속 피복 마운드(3)가 스터드 범프(studbump)인,
광전자 소자.
청구항 3
제 1 항에 있어서,
상기 금속 피복 마운드(3)가 솔더-볼(solder ball)인,
광전자 소자.
청구항 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 피복 마운드(3)가 니켈-금(Ni/Au)-화합물 및/또는 니켈-팔라듐(Ni/Pd)-화합물을 포함하는,
광전자 소자.
청구항 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연 층(4)이 상기 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방사선을 투과시키는,
광전자 소자.
청구항 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연 층(4) 내에 변환 물질(6)이 배치되어 있는,
광전자 소자.
청구항 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
공개특허 10-2012-0055723
- 3 -
적어도 하나의 추가 반도체 몸체(2b)가 상기 기판(1) 상에 배치되어 있는,
광전자 소자.
청구항 8
제 7 항에 있어서,
반도체 몸체(2a) 및 상기 추가의 반도체 몸체(2b)가 추가의 평면 도체 구조물(5c)에 의해 도전성으로 상호 접
속되어 있는,
광전자 소자.
청구항 9
광전자 소자(10)를 제조하기 위한 방법으로서,
a) 방사선 방출면(20)과 마주한 반도체 몸체(2)의 면을 기판(1) 상에 배치하는 단계,
b) 상기 반도체 방출면(20) 위에 배치된 상기 반도체 몸체(2)의 전기 접속 영역(22) 상에 금속 피복 마운드
(3)를 제공하는 단계,
c) 상기 금속 피복 마운드(3)가 상기 절연 층(4)보다 더 돌출하도록 상기 반도체 몸체(2) 상에 절연 층(4)을
후속하여 제공하는 단계
를 포함하는,
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
청구항 10
제 9 항에 있어서,
상기 방법 단계 b)가 실크 스크린 프린팅 프로세스(silk screen printing-process) 또는 리플로우 프로세스
(reflow-process)를 포함하는,
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
청구항 11
제 9 항에 있어서,
상기 금속 피복 마운드(3)가 솔더 볼이고, 상기 방법 단계 b)가 납땜 공정을 포함하는,
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
청구항 12
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법 단계 c)가 상기 절연 층(4)을 압력으로 적층하는 방법을 포함하는,
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
청구항 13
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법 단계 c)가 실크 스크린 프린팅 방법 또는 몰딩 방법을 포함하는,
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
청구항 14
제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법 단계 c)에서 상기 절연 층(4)을 상기 금속 피복 마운드(3) 상에 가압하는,
공개특허 10-2012-0055723
- 4 -
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
청구항 15
제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법 단계 c)가 스탬프 프로세스, 연삭 프로세스, 레이저 어블레이션, 플라즈마 프로세스 또는 플라이컷
프로세스를 이용해서 상기 금속 피복 마운드(3)를 노출하는 공정을 포함하는,
광전자 소자를 제조하기 위한 방법.
명 세 서
기 술 분 야
본 특허 출원서는 독일 특허 출원서 10 2009 039 890.2호를 우선권으로 주장하며, 상기 우선권 서류의 공개[0001]
내용은 본 출원서에 인용의 형태로 수용된다.
본 발명은 반도체 몸체, 절연 층 및 상기 반도체 몸체의 평면 콘택팅을 위한 평면 도체 구조물을 갖는 광전자[0002]
소자와 관련이 있다. 더 나아가 본 발명은 광전자 소자를 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다.
배 경 기 술
예를 들어 간행물 DE 103 53 679 A1호에는 평면 콘택팅된 반도체 몸체를 갖는 소자가 공지되어 있다. 특히,[0003]
상기 소자는 기판, 상기 기판 위에 배치된 광전자 반도체 몸체 및 절연 층을 포함하며, 이 경우 상기 절연 층
은 상기 기판 및 광전자 반도체 몸체 위로 뻗어 있다. 광전자 반도체 몸체의 콘택팅을 위해서, 절연 층 위로
뻗은 금속화 형태의 평면 도체 구조물은 반도체 몸체의 접점들 및 기판의 도체 레일에 리드 되어 있다.
그러나 종래의 평면 접촉 기술들의 경우에는, 평면 도체 구조물을 이용하여 반도체 몸체를 도전 접촉시킬 수[0004]
있기 위해 상기 반도체 몸체의 접속 영역들의 노출이 필수적이다. 특히, 이 경우에는 반도체 몸체의 접속 영
역 내에서 절연 층이 제거되어야 한다. 이 목적을 위해 종래 방식의 평면 접촉 기술은 반도체 몸체의 접속
영역들의 노출에 레이저 어블레이션 프로세스(laser ablation process)를 이용한다. 이 경우 접속 영역 위에
는 절연 층의 잔류물이 거의 남아 있지 않도록 제거되어야 한다. 절연 층이 잔류물 없이 제거되지 않게
되면, 이러한 상황은 소자의 작동 중 출력에 나쁜 영향을 줄 수 있으며, 특히 출력을 저하시킬 수 있다. 또
한, 절연 층의 잔류물 없는 제거의 편차는 상승된 파워 유입을 야기할 수 있으며, 이로 인해서는 반도체 몸체
가 불리하게 손상될 수 있다.
발명의 내용
본 발명의 과제는, 특히 전체 높이가 낮고 동시에 신뢰할 만한 작동 성능을 갖는, 더 나아가 간소화된 제조[0005]
방법을 특징으로 하는 개선된 광전자 소자를 제공하는 것이다.
상기 과제는 특허청구범위 제 1 항의 특징들을 갖는 광전자 소자 및 특허청구범위 제 9 항의 특징들을 갖는[0006]
상기 광전자 소자를 제조하기 위한 방법에 의해서 해결된다. 본 발명에 따른 소자 및 상기 소자의 제조 방법
의 바람직한 실시 예들 및 바람직한 개선 예들은 종속항들의 대상이다.
본 발명에 따르면, 방사선 방출면을 갖는 하나 이상의 반도체 몸체를 포함하는 광전자 소자가 제공된다. 상[0007]
기 방사선 방출면과 마주한 상기 반도체 몸체의 면이 기판상에 배치되어 있으며, 이 경우 상기 방사선 방출면
상에는 적어도 하나의 전기 접속 영역이 배치되어 있다. 상기 전기 접속 영역 상에는 금속 피복 마운드
(metallization mound)가 배치되어 있다. 또한, 상기 반도체 몸체는 적어도 부분적으로 절연 층을 가지며,
이 경우 상기 금속 피복 마운드는 상기 절연 층보다 더 돌출한다. 상기 절연 층 위에는 반도체 몸체의 평면
콘택팅을 위해 적어도 하나의 평면 도체 구조물이 배치되어 있고, 상기 평면 도체 구조물은 금속 피복 마운드
에 의해 상기 전기 접속 영역과 도전 접속되어 있다.
반도체 몸체의 평면 콘택팅에 의해서는 바람직하게 소자의 매우 낮은 전체 높이가 얻어진다. 따라서, 바람직[0008]
하게 콤팩트한 소자가 제조될 수 있다. 바람직하게는 도체 구조물들을 반도체 몸체에 근접 배치하는 것이 가
능해지고, 이로 인해 소자의 매우 낮은 전체 높이가 얻어진다. 그럼으로써, 특히 예를 들어 광학 소자들이
반도체 몸체에 근접 배치될 수 있게 된다.
공개특허 10-2012-0055723
- 5 -
광학 소자들은 특히 반도체 몸체에 의해서 방출된 방사선에 의도한 바대로 영향을 미치는, 특히 방사 특성 곡[0009]
선을 변경하는, 예를 들면 렌즈와 같은 구성 부품들이다.
또한, 절연 층으로부터 외부로 돌출하는 반도체 몸체의 접속 영역 상에 있는 금속 피복 마운드에 의해서는,[0010]
반도체 몸체의 전기 접속 영역 위에서 상기 절연 층의 레이저 어블레이션 프로세스가 피해질 수 있으며, 이로
인해 상기 반도체 몸체의 접속 영역들의 손상이 방지될 수 있다. 특히, 균일하고 장애 없는(trouble-free)
접속 영역 표면이 구현되며, 이로 인해 반도체 몸체의 작동 성능에 영향을 끼치는 상황이 방지될 수 있다.
바람직하게는 신뢰할 만한 소자가 달성될 수 있다.
금속 피복 마운드는 예를 들어 금속 재료를 포함하는 융기부이다. 이 경우 상기 금속 피복 마운드는 필수적[0011]
으로 특수한 형태를 가질 필요는 없다. 특히, 금속 피복 마운드는 절연 층보다 더 돌출한다. 예를 들어, 금
속 피복 마운드는 반도체 몸체에 마주 놓인 절연 층의 표면으로부터 외부로 돌출한다. 따라서, 금속 피복 마
운드는 특히 방사선 방출면 상에서 절연 층보다 더 높은 높이를 갖는다. 바람직하게는 금속 피복 마운드가
절연 층을 완전히 관통한다.
금속 피복 마운드들은 당업자에게 특히 "범프들(bumps)"로도 알려져 있다.[0012]
금속 피복 마운드는 특히 반도체 몸체의 접속 영역 및 평면 도체 구조물과는 분리된 소자의 개별 구성 부품이[0013]
다. 바람직하게 금속 피복 마운드는 예를 들어 접속 영역 상에 접착되거나 납땜 되어 있다.
반도체 몸체는 바람직하게 반도체 칩, 특히 바람직하게는 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드이다.[0014]
반도체 몸체는 바람직하게 방사선을 방출하는 활성층을 갖는다. 상기 활성층은 방사선을 발생하기 위해 바람[0015]
직하게 pn-접합부(pn-junction), 이중 헤테로 구조물, 단일 양자 웰 구조물(SQW, single quantum well) 또는
다중 양자 웰 구조물(MQW, multi quantum well)을 갖는다.
반도체 몸체는 바람직하게 질화물(nitride)-, 인화물(phosphide)- 또는 비화물(arsenide)-화합물 반도체를 기[0016]
본으로 한다. 바람직하게 반도체 몸체는 박막 반도체 몸체로 설계되어 있다. 박막 반도체 몸체는 특히 그
제조 공정 동안에 성장 기판이 분리된 반도체 몸체이다.
본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 바람직한 실시 예에서 금속 피복 마운드는 소위 "스터드 범프[0017]
(studbump)"이다. 스터드 범프는 예를 들어 선(wire), 바람직하게는 압착된 금선(Au-wire)이다. 상기 선은
특히, 바람직하게는 콘택팅 패드로서 형성된 반도체 몸체의 접속 영역 상에 배치되어 있다. 스터드 범프들은
당업자에게 공지되어 있기 때문에 본 발명에서는 상세하게 설명되지 않는다.
본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 바람직한 추가 실시 예에서, 금속 피복 마운드는 소위 솔더 볼[0018]
(solder-ball), 예를 들면 솔더링 소구체(soldering globule) 또는 "플립 칩 범프(flip chip bump)"이다. 이
경우 솔더링 소구체는 바람직하게 접속 영역 상에 납땜될 수 있는 각각의 금속 바디이다. 특히, 솔더링 소구
체는 단지 볼 모양의 바디만을 의미하는 것은 아니다. 또한, 예를 들어 폴(pole)형 바디 등과 같은 구형에
가까운 각각의 바디도 솔더링 소구체를 의미할 수 있다. 이 경우에는 방사면으로부터 떨어져서 마주하는 표
면상에서만 라운딩(rounding)을 갖는 바디도 솔더링 소구체라는 용어 범주에 속한다. 본 출원서의 범위에서
는 원통형 바디도 솔더링 소구체라는 용어의 범주에 속한다. 솔더 볼들, 즉 솔더링 소구체들 및 플립 칩 범
프들은 당업자에게 공지되어 있으므로 본 발명에서는 상세하게 설명되지 않는다.
본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 바람직한 실시 예에서, 금속 피복은 니켈-금 화합물(Ni/Au-화합물) 및[0019]
/또는 니켈-팔라듐 화합물(Ni/Pd-화합물)을 포함한다.
바람직하게 상기 금속 피복 마운드가 전도성을 띠고 반도체 몸체의 전기 접속 영역을 평면 도체 구조물에 연[0020]
결함으로써, 반도체 몸체는 상기 금속 피복 마운드에 의해 도전 접촉된다. 절연 층은 바람직하게 금속 피복
마운드의 영역에서 관통구를 갖고, 상기 금속 피복 마운드는 상기 관통구를 완전히 관통한다.
본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 바람직한 추가 실시 예에서, 절연 층은 반도체 몸체에 의해서 방출된[0021]
방사선에 대해 투과성을 갖는다. 바람직하게는 상기 절연 층이 반도체 몸체에 의해서 방출된 방사선에 대해
적어도 부분적으로 방사선 투과성을 갖는다. 따라서, 반도체 몸체에 의해서 방출된 방사선은 눈에 띄는 광학
적 손실 없이 상기 절연 층에 의해 감결합될 수 있다. 바람직하게는 절연 층 내에서 반도체 몸체에 의해서
방출된 방사선의 흡수율이 감소될 수 있으며, 그 결과 소자의 효율이 바람직하게 상승된다.
절연 층은 바람직하게 박막, 래커 또는 폴리머 층이다.[0022]
공개특허 10-2012-0055723
- 6 -
본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 바람직한 추가 실시 예에서, 절연 층 내에는 변환 물질이 배치되어 있[0023]
다.
절연 층 내에 있는 변환 물질은 바람직하게 적어도 부분적으로 반도체 몸체에 의해서 방출되는 방사선을 흡수[0024]
하고 그리고 다른 파장 범위에 있는 2차 방사선을 재방출한다. 그로 인해 상기 소자는 반도체 몸체에 의해서
방출된 방사선 및 변환 물질의 2차 방사선을 포함하는 혼합 방사선을 방출한다. 그럼으로써, 바람직하게는
예를 들어 백색의 색 위치에서 혼합 방사선을 방출하는 소자가 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 바람직한 추가 실시 예에서, 적어도 하나의 추가 반도체 몸체는 기판[0025]
상에 배치되어 있다. 특히, 상기 추가 반도체 몸체는 반도체 몸체로부터 가로 방향으로 이격되어 배치되어
있다. 상기 추가 반도체 몸체는 바람직하게 제 1 반도체 몸체와 같이 형성되어 있다. 특히, 상기 추가 반도
체 몸체는 적어도 하나의 전기 접속 영역이 그 위에 배치된 방사선 방출면을 가지며, 상기 전기 접속 영역 상
에는 금속 피복 마운드가 배치되어 있다. 또한, 상기 추가 반도체 몸체는 적어도 부분적으로 절연 층과 연결
되어 있으며, 이 경우 금속 피복 마운드는 절연 층을 관통하며, 특히 상기 절연 층보다 더 돌출한다.
바람직하게 상기 반도체 몸체 및 추가 반도체 몸체는 하나의 추가 평면 도체 구조물에 의해 도전성으로 상호[0026]
접속되어 있다.
반도체 몸체를 도전성으로 상호 접속시키는 추가의 평면 도체 구조물에 의해서는 특히 바람직하게 콤팩트한[0027]
모듈이 제공될 수 있는데, 그 이유는 상기 반도체 몸체가 공간 절약 방식으로 기판 위에 배치될 수 있기 때문
이다. 그럼으로써 소자의 바닥 면이 바람직하게 감소된다.
광전자 모듈을 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법은 특히 하기의 단계들을 포함한다:[0028]
a) 방사선 방출면과 마주한 반도체 몸체의 면을 기판상에 배치하는 단계,[0029]
b) 상기 반도체 방출면 위에 배치된 상기 반도체 몸체의 전기 접속 영역 상에 금속 피복 마운드를 제공하는[0030]
단계,
c) 상기 금속 피복 마운드가 절연 층보다 더 돌출하도록 상기 반도체 몸체상에 절연 층을 후속 제공하는[0031]
단계.
따라서 반도체 몸체상에 절연 층을 제공하기 전에, 상기 반도체 몸체의 전기 접속 영역이 금속 피복 마운드[0032]
("bumps")를 갖는다. 후속해서 절연 층, 바람직하게는 박막의 제공이 이루어지고, 그 결과 절연 층 제공 후,
금속 피복 마운드가 상기 절연 층의 표면으로부터 외부로 돌출한다. 반도체 몸체의 전기 접속 영역 위에서
절연 층의 레이저 어블레이션이 바람직하게 생략되고, 그로 인해 반도체 몸체의 접속 영역의 손상이 바람직하
게 방지될 수 있다. 특히, 바람직하게는 균일하고 장애 없는 접속 영역 표면이 달성될 수 있으며, 상기 접속
영역 표면은 바람직하게 반도체 몸체의 작동 성능에 부정적인 영향을 미치지 않는다.
특히, 통상적으로 레이저 어블레이션 프로세스에 의해 적어도 부분적으로 발생하는, 반도체 몸체의 접속 영역[0033]
의 손상이 방지되는 개선된 제조 방법이 가능해질 수 있다. 또한, 반도체 몸체의 접속 영역의 노출 방법 단
계, 특히 반도체 몸체의 접속 영역 위에서의 절연 층 분리, 바람직하게는 절연 층 제거 방법 단계가 본 발명
에 따른 방법 범주에 속함으로써, 간략화된 제조 방법이 달성될 수 있다.
반도체 몸체의 접속 영역 상에 금속 피복 마운드를 형성하기 위해서는, 바람직하게 하기의 방법들이[0034]
적용된다:
－ 실크 스크린 프린팅 프로세스(silk screen printing-process),[0035]
－ 리플로우 프로세스(reflow-process),[0036]
－ 솔더 볼 배치(solder ball-placement).[0037]
금속 피복 마운드는 바람직하게 스터드 범프 또는 솔더 볼이며, 이 경우 전기 접속 영역 상에 상기 금속 피복[0038]
마운드를 배치하기 위해서는 바람직하게 접착 프로세스 또는 납땜 프로세스가 적용된다.
금속 피복 마운드가 절연 층의 절연 물질을 갖지 않는 방식으로, 반도체 몸체, 기판 및 금속 피복 마운드 상[0039]
에 절연 층을 배치하기 위해서는 예를 들어 하기의 방법들이 적용된다:
－ 절연 층, 특히 박막을 상응하는 압력으로 적층하는 방법,[0040]
공개특허 10-2012-0055723
- 7 -
－ 금속 피복 마운드 영역 내에 리세스를 형성하여 절연 물질을 실크 스크린 프린팅하는 방법,[0041]
－ 반도체 몸체의 접속 영역 내에 리세스를 형성하여 또는 리세스 형성하지 않고 절연 물질을 몰딩하는 방법.[0042]
－ 금속 피복 마운드 상에 절연 층을 가압하는 방법으로서, 상기 방법으로 인해서는 상기 금속 피복 마운드가[0043]
상기 절연 층을 완전히 관통하여 가압 된다.
금속 피복 마운드 또는 금속 피복 마운드들이 절연 층 재료를 갖지 않고, 그러나 반도체 몸체 및 기판이 상기[0044]
금속 피복 마운드 외부의 영역들에서 상기 절연 층에 의해 둘러싸이도록, 특히 커버 되도록 절연 층은 바람직
하게 각각 제공된다.
그럼에도, 절연 층 제공 후 금속 피복 마운드 상에는 상기 절연 층의 잔류물들이 존재할 수 있으며, 따라서[0045]
상기 금속 피복 마운드는 스탬프 프로세스, 연삭 프로세스 또는 플라이컷 프로세스(flycut process)에 의해
계속 노출될 수 있고, 그 결과 반도체 몸체의 전기 콘택팅이 금속 피복 마운드에 의해 가능하게 된다. 특히,
절연 층은 금속 피복 마운드 위에서 잔류물 없이 개방될 수 있다.
또한, 반도체 몸체는 방사선 방출면 위에 추가의 접속 영역들을 가질 수 있으며, 상기 접속 영역들 위에는 각[0046]
각 하나의 금속 피복 마운드가 제공되며, 이러한 경우에는 절연 층이 금속 피복 마운드의 영역들에서 각각 하
나의 관통구를 가지며, 그 결과 금속 피복 마운드들이 절연 층을 각각 완전히 관통한다.
따라서, 상기와 같은 유형의 방법에 의해 제조된 소자는 적어도 하나의 반도체 몸체를 포함하고, 상기 반도체[0047]
몸체는 금속 피복 마운드들의 영역들 포함하여 바람직하게는 완전히 절연 층에 의해 둘러싸여 있다. 또한,
반도체 몸체상에 절연 층을 제공하는 방법 단계는 마찬가지로 반도체 몸체 장착 영역 또는 반도체 몸체 장착
영역들 외부에 존재하는 기판 영역들 내에 있는 기판상에 절연 층을 제공하는 것을 포함할 수도 있다.
반도체 몸체 및 기판상에 절연 층을 제공한 후에는 계속해서 평면 도체 구조물 또는 예컨대 금속 구조물들로[0048]
된 평면 도체 구조물들이 제공된다. 이와 관련한 가능한 방법은 예를 들어 간행물 DE 103 53 679 A1호를 통
해 당업자에게 공지되어 있으며, 상기 문서의 공개 내용은 본 출원서에 인용의 형태로 명시적으로 포함된다.
본 발명에 따른 광전자 소자 그리고 본 발명에 따른 광전자 소자를 제조하기 위한 방법의 추가의 특징들, 장[0049]
점들, 바람직한 실시 예들 그리고 합목적성은 도 1 내지 도 3과 연관하여 설명된 아래의 실시 예들로부터 드
러난다.
도면의 간단한 설명
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명에 따른 소자의 실시 예들을 개략적인 횡단면도이다.[0050]
발명을 실시하기 위한 구체적인 내용
동일한 또는 동일한 작용을 하는 구성 부품에는 각각 동일한 도면 부호가 제공되었다. 도면에 도시된 구성[0051]
부품들 그리고 상기 구성 부품들의 상호 크기 비율은 척도에 맞는 것으로 간주 될 수 없다.
도 1에는 광전자 소자가 도시되어 있으며, 상기 광전자 소자는 기판(1) 및 상기 기판 위에 배치된 반도체 몸[0052]
체(2)를 포함한다. 상기 반도체 몸체(2)는 바람직하게 전자기 방사선의 발생하기 위해 방사선을 방출하는 활
성층을 포함한다. 예를 들어 반도체 몸체(2)는 반도체 칩, 바람직하게는 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다
이오드다.
도 1의 실시 예에서, 반도체 몸체(2)는 기판(1) 쪽을 향하는 측면 상에 접촉면(23)을 갖는다. 특히, 반도체[0053]
몸체는 상기 접촉면(23)을 통해서, 기판(1) 위에 배치된 도체 레일들 또는 이러한 경우 도전성 재료를 포함하
는 기판(1)과 도전 접촉되어 있다.
기판(1)으로부터 떨어져서 마주하는 반도체 몸체(2)의 측면 상에는 방사선 방출면(20)이 배치되어 있다. 상[0054]
기 방사선 방출면(20)에 의해, 바람직하게는 활성층에 의해서 방출된 방사선의 대부분이 반도체 몸체(2)로부
터 감결합된다. 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방사선은 실시 예들(1 내지 3)에서 각각 화살표로 도시되어
있다.
반도체 몸체(2)의 방사선 방출면(20) 위에는 전기 접속 영역(22)이 배치되어 있다. 도 1의 실시 예에는 전기[0055]
접속 영역(22)이 방사선 방출면(20)의 한 측면 영역에 배치됨으로써, 상기 전기 접속 영역은 반도체 몸체(2)
에 의해서 방출된 방사선을 필수적으로 투과시킬 필요는 없다.
공개특허 10-2012-0055723
- 8 -
전기 접속 영역(22) 상에는 금속 피복 마운드(3)가 배치되어 있다. 상기 금속 피복 마운드(3)는 예를 들어[0056]
스터드 범프, 솔더 볼 또는 솔더링 소구체일 수 있다. 특히 금속 피복 마운드는 도전성 재료를 포함한다.
금속 피복 마운드(3)는 바람직하게 소자의 개별 구성 부품이다. 특히 금속 피복 마운드(3)는 반도체 몸체
(2)의 전기 접속 영역(22)과는 별도로 분리되어 있다. 금속 피복 마운드(3)는 바람직하게 니켈-금 화합물을
포함한다.
반도체 몸체(2) 위, 특히 방사선 방출면(20) 위에는 절연 층(4)이 배치되어 있다. 상기 절연 층(4)은 특히[0057]
반도체 몸체(2)를 둘러싸는 영역들 내에 있는 기판(1) 위에도 배치되어 있다.
바람직하게 절연 층(4)은 전기 접속 영역(22)을 포함하여 반도체 몸체(2)를 완전히 둘러싼다. 바람직하게 상[0058]
기 절연 층은 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방사선을 투과시키거나 또는 적어도 부분적으로 투과시키며,
그 결과 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방사선이 방사선 방출면(20)에서 소자(10)로부터 감결합될 수 있다.
금속 피복 마운드(3)는 절연 층(4)보다 더 돌출한다. 특히, 금속 피복 마운드(3) 영역 내에는 절연 층(4)이[0059]
배치되어 있지 않다. 방사선 방출면(20) 위에 있는 금속 피복 마운드(3)의 높이는 바람직하게 방사선 방출면
(20) 위에 있는 절연 층(4) 높이보다 더 크다. 특히, 금속 피복 마운드(3) 위에는 절연 층(4), 특히 상기 절
연 층(4)의 절연 물질이 배치되어 있지 않다.
상기 절연 층(4) 위에는, 반도체 몸체(2)의 평면 접촉을 위해 평면 도체 구조물(5)이 배치되어 있다. 상기[0060]
평면 도체 구조물(5)은 특히 금속 피복 마운드(3)에 의해 반도체 몸체(2)의 전기 접속 영역(22)과 도전성으로
접속되어 있다. 금속 피복 마운드(3)는 바람직하게 평면 도체 구조물(5) 및 접속 영역(22)과는 분리된 소자
(10)의 개별 구성 부품이다.
반도체 몸체(2)는 바람직하게 기판(1) 쪽을 향하는 반도체 몸체(2)의 측면 상에 있는 접촉면(23)을 이용해서[0061]
그리고 전기 접속 영역(22)을 이용해서 금속 피복 마운드(3) 및 평면 도체 구조물(5)에 의해 도전 접촉될 수
있다.
도 1의 실시 예에서는 전기 접속 영역(22), 금속 피복 마운드(3) 및 평면 도체 구조물(5)이 반도체 몸체(2)의[0062]
방사선 방출면(20)의 측면 영역에 배치되어 있기 때문에, 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방사선의 소자(1
0)로부터의 감결합은 이러한 구성 부품들에 의해서는 거의 나쁜 영향을 받지 않는데, 특히 방사선 감결합이
감소되지 않는다. 평면 접촉 구조물들 그리고 금속 피복 마운드(3) 및 접속 영역(22)의 측면 배치에 의해서
는 소자의 구성 부품들 내에서 발생할 수 있는 흡수 과정이 감소될 수 있으며, 이로 인해 바람직하게는 소자
의 방사선 효율이 개선된다.
특히, 도 1의 실시 예가 갖는 장점은, 반도체 몸체(2)의 전기 접속 영역(22)이 균일하고 장애 없는 표면을 갖[0063]
는다는 것이다. 상기 전기 접속 영역(22)의 균일하고 장애 없는 표면은 절연 층(4)으로부터 상기 접속 영역
(22)을 노출하기 위한 종래 방식의 레이저 어블레이션이 요구되지 않음으로써 이루어지는데, 그 이유는 전기
접속 영역(22)이 금속 피복 마운드(3)(상기 금속 피복 마운드는 절연 층(4)보다 더 큰 높이를 가짐)에 의해
평면 도체 구조물(5)과 도전성으로 접속되어 있기 때문이다.
도 1에 따른 광전자 소자를 제조하기 위한 방법은, 특히 하기의 방법 단계들을 포함한다:[0064]
방사선 방출면(20)과 마주하는 측면을 갖는 반도체 몸체(2)를 기판(1) 상에 제공하는 단계, 방사선 방출면[0065]
(20) 상에 배치된 상기 반도체 몸체(2)의 전기 접속 영역(22) 상에 금속 피복 마운드(3)를 후속 제공하는 단
계, 그리고 상기 금속 피복 마운드(3)가 절연 층(4)보다 더 돌출하도록 반도체 몸체(2) 상에 절연 층(4)을 후
속 제공하는 단계.
상기와 같은 방식의 제조 방법은 특히 절연 층(4)으로부터 접속 영역(22)을 노출시키는 과정이 필수적이지 않[0066]
다는 장점을 갖는데, 그 이유는 전기 접촉이 절연 층(4)보다 더 돌출하는 금속 피복 마운드(3)에 의해서 이루
어지기 때문이다. 이로 인해 바람직하게는 접속 영역(22)이 예를 들어 레이저 어블레이션 프로세스에 의해
손상되지 않으며, 그 결과 균일하고 장애 없는 접속 영역 표면이 구현된다.
이 경우 절연 층(4)은 금속 피복 마운드(3)가 절연 층(4)의 표면보다 더 돌출하도록 제공된다. 특히, 금속[0067]
피복 마운드(3)는 절연 층(4)을 완전히 관통한다. 상기와 같은 효과는 예를 들어 하기의 방법들 중 하나의
방법에 의해 구현될 수 있다:
－ 절연 층(4), 특히 박막을 상응하는 압력으로 적층하는 방법,[0068]
공개특허 10-2012-0055723
- 9 -
－ 금속 피복 마운드(3) 영역 내에 리세스들을 형성하여 절연 재료를 실크 스크린 프린팅하는 방법,[0069]
－ 절연 재료를 몰딩하는 방법,[0070]
－ 금속 피복 마운드(3)가 절연 층(4) 안으로 가압 되도록, 즉 상기 금속 마운드가 상기 절연 층(4)을 바람직[0071]
하게는 완전히 관통하도록, 소자(10) 상에 상기 절연 층(4)을 가압하는 방법.
상기와 같은 방법에서는, 절연 층(4) 제공 후에 금속 피복 마운드(3)가 바람직하게 절연 층(4)의 절연 물질을[0072]
포함하지 않는다. 그럼에도, 상기 금속 피복 마운드(3)가 절연 층(4)을 완전히 관통할 필요가 없는 경우, 상
기 절연 층(4)의 절연 물질은 예를 들어 스탬프 프로세스, 연삭 프로세스, 레이저 어블레이션, 플라즈마 프로
세스 또는 플라이컷 프로세스에 의해 금속 피복 마운드(3) 영역 내에서 잔류물 없이 제거될 수 있다.
금속 피복 마운드(3)는 예를 들어 실크 스크린 프린팅 프로세스 또는 리플로우 프로세스에 의해 전기 접속 영[0073]
역(22) 상에 제공된다. 대안적으로는 금속 피복 마운드(3)가 접착 프로세스 또는 납땜 프로세스에 의해 접속
영역(22) 상에 제공될 수 있다. 이러한 경우 금속 피복 마운드(3)는 바람직하게 솔더 볼("솔더 볼 배치
(solder-ball-placement)")이다.
평면 도체 구조물(5)을 절연 층(4) 상에 배치하는 방법은 예를 들면 간행물 DE 103 53 679 A1호를 통해 당업[0074]
자에게 공지되어 있으므로 본 발명에서는 상세하게 설명되지 않는다.
도 2에는 본 발명에 따른 광전자 소자의 한 가지 추가 실시 예가 도시되어 있다. 도 2의 실시 예는 절연 층[0075]
(4) 내에 변환 물질(6)이 배치됨으로써 도 1의 실시 예와 구별된다. 상기 변환 물질(6)은 반도체 몸체(2)에
의해서 방출된 방사선의 적어도 일부분을 흡수하고, 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방사선의 파장 범위와는
다른 파장 범위를 갖는 2차 방사선을 재방출한다. 이로 인해 바람직하게 반도체 몸체(2)에 의해서 방출된 방
사선 및 2차 방사선을 포함하는 혼합 방사선을 갖는 소자가 구현될 수 있다. 그럼으로써, 예를 들면 백색 광
을 방출하는 소자가 달성될 수 있다.
그 외에는 도 2의 실시 예와 도 1의 실시 예가 일치한다.[0076]
도 3은 본 발명에 따른 소자의 한 가지 추가 실시 예를 도시한다. 추가의 반도체 몸체(2b)가 기판(1) 상에[0077]
배치된다는 점에서 도 3의 실시 예는 도 1에 도시된 실시 예와는 구별된다. 특히, 반도체 몸체(2a) 및 상기
추가의 반도체 몸체(2b)는 서로 나란히 배치되어 있다. 바람직하게 상기 반도체 몸체들(2a, 2b)은 서로 극미
한 간격을 갖는다.
상기 추가의 반도체 몸체(2b)는 바람직하게 반도체 몸체(2a)와 동일하게 형성된다. 특히 상기 추가의 반도체[0078]
몸체(2b)는 기판(1)과 마주 보는 방사선 방출면(20b)을 갖는다. 또한, 상기 추가의 반도체 몸체(2b)는 전기
접속 영역들(22)을 갖고, 상기 접속 영역들 상에는 각각 하나의 금속 피복 마운드(3)가 배치되어 있다. 기판
(1)으로부터 떨어져서 마주하는 반도체 몸체(2b)의 측면에는 절연 층(4)이 배치되어 있으며, 상기 절연 층은
반도체 몸체(2b)를 적어도 부분적으로 둘러싼다. 금속 피복 마운드(3)가 절연 층(4)보다 더 돌출함으로써,
상기 금속 피복 마운드(3)에 의해 전기 접속 영역들(22)이 도전 접촉될 수 있다.
도 1에 도시된 실시 예와의 차이점은 반도체 몸체들(2a, 2b)이 각각 방사선 방출면(20a, 20b) 상에서 2개의[0079]
전기 접속 영역(22)을 갖는다는 것이며, 상기 접속 영역들 상에는 각각 하나의 금속 피복 마운드(3)가 배치되
어 있다. 반도체 몸체들(2a, 2b)의 전기 접촉을 위해 도 1 및 도 2에 도시된 실시 예와 같은 접촉면(23)은
도 3의 실시 예에서는 필수적이지 않다.
전기 접속 영역들(22) 그리고 금속 피복 마운드들(3)은 바람직하게 방사선 방출면(20a)의 마주 놓인 측면들[0080]
상에, 특히 각각 방사선 방출면(20a, 20b)의 가장자리 영역에 배치되어 있다.
반도체 몸체(2a) 및 추가의 반도체 몸체(2b)는 추가의 평면 도체 구조물(5c)에 의해 전기적으로 상호 연결되[0081]
어 있다. 특히, 반도체 몸체(2a)의 금속 피복 마운드들 중 하나의 금속 피복 마운드(3)는, 상기 추가의 평면
도체 구조물(5c)에 의해 추가의 반도체 몸체(2b)의 금속 피복 마운드들 중 하나의 금속 피복 마운드(3)와 전
기 접촉한다. 각각 다른 반도체 몸체(2a, 2b)와는 도전성으로 접속되지 않는 금속 피복 마운드들(3)은 각각
하나의 평면 도체 구조물(5a, 5b)과 연결됨으로써, 반도체 몸체들(2a, 2b)은 전기 접속 면들(22) 및 금속 피
복 마운드들(3)을 이용하여 평면 도체 구조물들(5a, 5b, 5c)에 의해 전기적으로 접촉될 수 있으며, 특히 외부
로부터 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 도 3의 소자(10)는 다수의, 특히 2개의 반도체 몸체(2a, 2b)를 포함하며, 상기 반도체 몸체들은 서로[0082]
전기 접속될 수 있고 평면 도체 구조물들(5a, 5b)에 의해서 외부로부터 전기적으로 연결될 수 있다. 상기와
공개특허 10-2012-0055723
- 10 -
같은 방식의 콘택팅에 의해서는, 서로 극미한 간격으로 다수의 반도체 몸체(2a, 2b)를 포함하는 소자들(10)이
구현될 수 있으며, 그 결과 바람직하게는 상기와 같은 유형의 소자(10)의 바닥 면이 축소된다. 그럼으로써,
다수의 반도체 몸체들을 갖는 소형화된 소자들(10)이 구현될 수 있다.
그 외에는 도 3의 실시 예와 도 1의 실시 예가 일치한다.[0083]
본 발명은 실시 예들을 참조하는 상세한 설명으로 인해 상기 실시 예들에만 한정되지 않고, 오히려 각각의 새[0084]
로운 특징 그리고 각각의 특징 조합을 포함하며, 상기 특징 또는 상기 특징 조합 자체가 특허청구범위 또는
실시 예들에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도, 특히 각각의 특징 조합은 특허청구범위에 포함된 것으로 간
주한다.
도면
도면1
도면2
공개특허 10-2012-0055723
- 11 -
도면3
공개특허 10-2012-0055723
- 12 -