스크린 인쇄용 수지 조성물(RESIN COMPOSITION FOR SCREEN PRINTING)

(19) 대한민국특허청(KR)
(12) 등록특허공보(B1)
(45) 공고일자 2013년05월30일
(11) 등록번호 10-1269800
(24) 등록일자 2013년05월24일
(51) 국제특허분류(Int. Cl.)
C09D 11/00 (2006.01)
(21) 출원번호 10-2007-0006967
(22) 출원일자 2007년01월23일
심사청구일자 2011년09월21일
(65) 공개번호 10-2007-0077779
(43) 공개일자 2007년07월27일
(30) 우선권주장
JP-P-2006-00015046 2006년01월24일 일본(JP)
(56) 선행기술조사문헌
JP2004269793 A
JP2005008898 A
JP2004292250 A
JP2001279058 A
(73) 특허권자
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 2쪼메 6방 1고
(72) 발명자
아끼바, 히데끼
일본 군마껭 안나까시 마쯔이다마찌 히또미 1반지
10 신에쓰가가꾸 고교 가부시끼가이샤 실리콘 덴
시 자이료 기쥬쯔 겡뀨쇼내
(74) 대리인
구영창, 김영, 장수길
전체 청구항 수 : 총 8 항 심사관 : 최영희
(54) 발명의 명칭 스크린 인쇄용 수지 조성물
(57) 요 약
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지 100 질량부,
(B) 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자 5 내지 350 질량부, 및
(C) 상기 (A) 성분의 수지의 용해 유효량의 유기 용제
를 필수 성분으로 하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
<화학식 1>
식 중, X는 3가의 유기기이고, Y는 2가의 유기기이고, Z는 이고, R
1
은 탄
소수 1 내지 3의 알킬기이고, R
2
는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기이고, a는 0 내지 4의 정수이고, p는
1 내지 100의 정수이고, q는 1 내지 100의 정수이다.
본 발명에 따르면, 스크린 인쇄성이 양호하고, 메쉬눈 잔류물이나 번짐, 탈포성의 악화 등을 야기하지 않고 균일
한 막 두께가 얻어지며, 또한 연속 성형성도 우수한 스크린 인쇄용 수지 조성물을 제공할 수 있다.
등록특허 10-1269800
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특허청구의 범위
청구항 1
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지 100 질량부,
(B) 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자 5 내지 350 질량부, 및
(C) 상기 (A) 성분의 수지를 용해시킬 수 있는, 고형분량을 10 내지 80 질량％로 하는 양의, 테트라히드로푸란,
1,4-디옥산, 시클로펜타논, 시클로헥사논, γ-부티로락톤, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N,N-디메틸아세트
아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논으로부터 선택된 1종 이상의 유기
용제
를 필수 성분으로 하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
<화학식 1>
식 중, X는 3가의 유기기이고, Y는 2가의 유기기이고, Z는 이고, R
1
은 탄
소수 1 내지 3의 알킬기이고, R
2
는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기이고, a는 0 내지 4의 정수이고, p
는 1 내지 100의 정수이고, q는 1 내지 100의 정수이다.
청구항 2
(A) 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지,
(B) 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자,
(C) 고형분량을 10 내지 80 질량％로 하는 양의, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 시클로펜타논, 시클로헥사논,
γ-부티로락톤, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭
시드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논으로부터 선택된 1종 이상의 유기 용제,
(D) 1 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지, 및
(E) 경화 촉진제
를 함유하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
<화학식 1>
등록특허 10-1269800
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식 중, X는 3가의 유기기이고, Y는 2가의 유기기이고, Z는 이고, R
1
은 탄
소수 1 내지 3의 알킬기이고, R
2
는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기이고, a는 0 내지 4의 정수이고, p
는 1 내지 100의 정수이고, q는 1 내지 100의 정수이다.
청구항 3
제2항에 있어서, 상기 (D) 성분의 에폭시 수지가 하기 화학식 2로 표시되는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는
스크린 인쇄용 수지 조성물.
<화학식 2>
식 중, G는 글리시딜기이고, R은 수소 원자 또는 1가 탄화수소기를 나타내되, 단 전체 R 중 하나 이상은 1가 탄
화수소기이고, n은 0 또는 1 이상의 정수이다.
청구항 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 금속 산화물 미립자의 표면이 실라잔류 및/또는 실란 커플
링제로 처리된 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
청구항 5
제4항에 있어서, 상기 실라잔류가 헥사메틸디실라잔인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
청구항 6
제4항에 있어서, 상기 실란 커플링제가 아미노기, 글리시딜기, 머캅토기, 우레이도기, 히드록시기 및 알콕시기
에서 선택되는 활성기를 갖는 화합물 중 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
청구항 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 성분이 평균 입경 0.05 내지 10 ㎛의 진구형 실리카를 60
내지 100 질량％ 함유하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
청구항 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (C) 성분으로서 비점 200℃ 이상의 유기 용제를 함유하는 것을
특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물.
명 세 서
발명의 상세한 설명
발명의 목적
발명이 속하는 기술 및 그 분야의 종래기술
본 발명은 스크린 인쇄용 수지 조성물에 관한 것이다. [0001]
폴리이미드계 수지는 내열성 재료로서 반도체 표면에 코팅되어 보호 절연막으로서의 역할을 담당하는데, 이들[0002]
보호막에 패턴을 형성하는 방법으로는, 바니시 상태로 스핀 코팅한 후에 패터닝을 행하는 방법, 또는 스크린 인
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쇄에 의해 코팅과 동시에 패터닝을 행하는 방법 등이 알려져 있다. 전자의 방법은 폴리아믹산 등의 바니시를
웨이퍼 상에 스핀 코팅하여 보호막을 형성한 후, 그 위에 포토레지스트를 적층하여 자외광 노광 및 현상에 의해
감광 부분 또는 비감광 부분을 용해시키는 동시에, 하층의 보호막도 용해시켜 패턴을 형성하는 방법, 또는 폴리
이미드계 수지 그 자체에 자외선 감응 부분을 갖게 한 감광성 수지를 이용하여, 자외광 노광 및 현상에 의해 감
광 부분 또는 비감광 부분을 용해시키는 방법 등을 들 수 있다. 어느 경우에나 자외선 노광을 포함하여 공정이
번잡해지기 때문에, 공정의 단축화 측면에서도 후자의 스크린 인쇄법이 요망되고 있다. 그러나, 종래의 스크린
인쇄용 바니시는 해상도나 막 평탄성 등에 있어서 반드시 만족할만한 결과가 얻어진 것은 아니었다. 그 이유 중
하나로서, 형상 유지를 위해 바니시에 무기 충전제를 첨가하여 요변성을 부여함에 따른 메쉬눈 잔류물이나
번짐, 탈포성의 악화 등을 들 수 있다. 또한, 특히 박막 형성시, 용제의 휘발이 빨라 연속 성형성이 부족하다
는 문제도 들 수 있다.
한편, 트랜지스터, 다이오드, IC, LSI 등의 반도체 소자를 에폭시 수지 등의 수지 재료로 밀봉하는 것이 자주[0003]
행해지고 있지만, 반도체 소자를 이들 수지 재료로 밀봉하면, 이 수지 재료를 통해 침입한 물이나 이온성 불순
물로 인해 반도체 소자의 열화가 종종 야기된다. 따라서, 상기 대책으로서 내열성, 전기 특성, 기계적 특성이
우수한 폴리이미드계 수지로 반도체 소자를 피복 보호한 후, 수지 재료로 밀봉하는 방법이 제안되었다. 특히,
최근에는 패키지가 점점 소형화, 박형화되는 동시에, 기판으로의 실장 방법도 표면 실장 방식이 주류가 되어,
종래의 에폭시 수지 조성물로는 충분한 신뢰성을 유지할 수 없게 되었다. 또한, 최근의 땜납의 무납화로 인해
땜납 리플로우 온도가 260℃까지 인상되었고, 패키지 흡습 후에 납땜하면, 패키지에 균열이 발생하는 문제나 균
열이 발생하지 않더라도 내습성이 저하되는 결점이 생겼다. 이들 용도에 있어서도 금속 또는 플라스틱 재료와
의 접착성이 우수하고, 고내열로 스크린 인쇄 가능한 보호막의 개발이 요망되고 있다. 그러나, 종래의 폴리이
미드 수지는 동박에 대한 접착력이 충분하지 않고, 또한 경화막의 유리 전이 온도(Tg)를 초과하면, 수지의 내열
성이 극단적으로 떨어지는 문제가 있었다.
발명이 이루고자 하는 기술적 과제
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 스크린 인쇄성이 양호하고, 메쉬눈 잔류물이나 번짐, 탈포성[0004]
의 악화 등을 야기하지 않고 균일한 막 두께가 얻어지며, 또한 연속 성형성도 우수한 스크린 인쇄용 수지 조성
물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 기재 및 플라스틱 재료와의 접착성이 우수하고, 반도체 패키지의 열적 스트레스에 의한 칩 균열이나 열[0005]
열화를 효율적으로 해소하여, 내열성이 우수한 경화물을 제공하고, 반도체 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료를 이
용하여 반도체를 밀봉할 때의 보호막 재료로서 유효한 스크린 인쇄용 수지 조성물을 제공하는 것을 다른 목적으
로 한다.
발명의 구성 및 작용
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, (A) 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기[0006]
함유 폴리아미드이미드 수지, (B) 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자, (C) 유기 용제를
필수 성분으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물, 특히 상기 (A), (B), (C) 성분, 및 (D) 1 분자 중에 2개 이상
의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지, (E) 경화 촉진제를 함유하는 스크린 인쇄용 수지 조성물이 유효함을 발견하여
본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기에 나타내는 스크린 인쇄용 수지 조성물을 제공한다. [0007]
[1] (A) 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지 100 질량부, [0008]
(B) 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자 5 내지 350 질량부, 및[0009]
(C) 상기 (A) 성분의 수지의 용해 유효량의 유기 용제[0010]
를 필수 성분으로 하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물. [0011]
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<화학식 1>[0012]
[0013]
식 중, X는 3가의 유기기이고, Y는 2가의 유기기이고, Z는 이고, R
1
은 탄[0014]
소수 1 내지 3의 알킬기이고, R
2
는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기이고, a는 0 내지 4의 정수이고, p
는 1 내지 100의 정수이고, q는 1 내지 100의 정수이다.
[2] (A) 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지, [0015]
(B) 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자, [0016]
(C) 유기 용제, [0017]
(D) 1 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지, 및[0018]
(E) 경화 촉진제[0019]
를 함유하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄용 수지 조성물. [0020]
<화학식 1>[0021]
[0022]
식 중, X는 3가의 유기기이고, Y는 2가의 유기기이고, Z는 이고, R
1
은 탄[0023]
소수 1 내지 3의 알킬기이고, R
2
는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기이고, a는 0 내지 4의 정수이고, p
는 1 내지 100의 정수이고, q는 1 내지 100의 정수이다.
[3] 상기 (D) 성분의 에폭시 수지가 하기 화학식 2로 표시되는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 [2]에 기재된[0024]
스크린 인쇄용 수지 조성물.
<화학식 2>[0025]
[0026]
식 중, G는 글리시딜기이고, R은 수소 원자 또는 1가 탄화수소기를 나타내되, 단 전체 R 중 하나 이상은 1가 탄[0027]
화수소기이고, n은 0 또는 1 이상의 정수이다.
등록특허 10-1269800
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[4] 상기 (B) 금속 산화물 미립자의 표면이 실라잔류 및/또는 실란 커플링제로 처리된 것을 특징으로 하는 [1][0028]
내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 스크린 인쇄용 수지 조성물.
[5] 상기 실라잔류가 헥사메틸디실라잔인 것을 특징으로 하는 [4]에 기재된 스크린 인쇄용 수지 조성물.[0029]
[6] 상기 실란 커플링제가 아미노기, 글리시딜기, 머캅토기, 우레이도기, 히드록시기 및 알콕시기에서 선택되는[0030]
활성기를 갖는 화합물 중 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 [4]에 기재된 스크린 인쇄용 수지 조성물.
[7] 상기 (B) 성분이 평균 입경 0.05 내지 10 ㎛의 진구형 실리카를 60 내지 100 질량％ 함유하는 것을 특징으[0031]
로 하는 [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 스크린 인쇄용 수지 조성물.
[8] 상기 (C) 성분으로서 비점 200℃ 이상의 유기 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 [1] 내지 [7] 중 어느[0032]
한 항에 기재된 스크린 인쇄용 수지 조성물.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 자세히 설명한다. [0033]
본 발명의 필수 성분(A)은 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지이다. [0034]
<화학식 1>[0035]
[0036]
식 중, X는 3가의 유기기이고, Y는 2가의 유기기이고, Z는 이고, R
1
은 탄[0037]
소수 1 내지 3의 알킬기이고, R
2
는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기이고, a는 0 내지 4의 정수이고, p
는 1 내지 100의 정수이고, q는 1 내지 100의 정수이다.
상기 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지는 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 분자 말단에 갖는 폴리아[0038]
미드이미드 수지와 에폭시기 함유 알콕시실란 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다.
본 발명에서 사용되는 폴리아미드이미드 수지는 분자 골격에 아미드기와 이미드기를 갖고, 예를 들면, 트리카르[0039]
복실산과 디아민을 통상법에 따라 반응시킴으로써 얻어지는 것으로, 상기 화학식 1에 있어서, X는 이 트리카르
복실산에서 유래되며, Y는 디아민에서 유래된다.
트리카르복실산으로는 트리멜리트산, 무수 트리멜리트산 등을 들 수 있다. [0040]
디아민으로는, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 2,2'-[0041]
비스(4-아미노페닐)프로판, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤
젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(p-아미노페닐술포닐)벤젠, 1,4-비스(m-아미노페닐술포닐)벤젠,
1,4-비스(p-아미노페닐티오에테르)벤젠, 1,4-비스(m-아미노페닐티오에테르)벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)
페닐]프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시)페닐]프
로판, 1,1-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[3-클로
로-4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 1,1-비스[3,5-디메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]에탄, 비스[4-(4-아미노페녹
시)페닐]메탄, 비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스
[3,5-디메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페
닐]퍼플루오로프로판 등의 방향족환 함유 디아민 등을 들 수 있고, 바람직하게는 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아
민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노
페녹시)벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 등을
들 수 있다.
등록특허 10-1269800
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또한, 기재에 대한 접착성, 유연성을 부여하기 위해 디아민으로서 실록산디아민류를 사용할 수 있다. 구체적으[0042]
로는, 하기 화학식 3 내지 11로 표시되는 것 등을 예시할 수 있지만, 물론 여기에 한정되는 것은 아니다.
또한, 이들 디아민 화합물도 원한다면 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
화학식 3
[0043]
화학식 4
[0044]
화학식 5
[0045]
화학식 6
[0046]
화학식 7
[0047]
화학식 8
[0048]
화학식 9
[0049]
등록특허 10-1269800
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화학식 10
[0050]
화학식 11
[0051]
상기 폴리아미드이미드 수지의 제조 방법에는, 산 클로라이드법, 이소시아네이트법 및 직접 중합법 등이 있고,[0052]
임의의 방법을 이용할 수 있다.
상기 원료 성분의 반응 비율은 카르복실기 및/또는 산 무수물기가 분자 말단에 잔존하는 비율로 할 필요가[0053]
있고, (아미노기의 몰수)/(카르복실기＋산 무수물기의 몰수)＝0.80 내지 0.99, 바람직하게는 0.85 내지 0.99이
다. 0.8 미만이면 경화막의 강인성, 유연성이 저하되고, 0.99를 초과하면 충분한 말단 카르복실기 및/또는 산
무수물기가 정량적으로 얻어지지 않을 우려가 있다.
폴리아미드이미드 수지의 분자량은 GPC에 기초한 스티렌 환산에 의한 중량 평균 분자량으로서 5000 내지[0054]
100,000이 바람직하다. 5000 미만이면 경화막의 강인성, 유연성이 저하되고, 100,000을 초과하면 고점도 때문
에 작업성이 저하될 우려가 있다.
이와 같이 하여 얻어진 폴리아미드이미드 수지의 말단 카르복실기 및/또는 산 무수물기에 하기 화학식 12로 표[0055]
시되는 에폭시기 함유 알콕시실란 화합물의 에폭시기를 부가 반응시킴으로써, 하기 화학식 1로 표시되는 알콕시
실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지를 얻을 수 있다.
화학식 12
[0056]
<화학식 1>[0057]
[0058]
한편, 상기 화학식에서, X, Y, Z, R
1
, R
2
, a, p 및 q는 상기한 바와 같지만, p 및 q는 각각 독립적으로 2 내지[0059]
100의 정수, 특히 3 내지 80의 정수인 것이 바람직하고, a는 0, 1, 2 또는 3인 것이 바람직하다.
여기서, 상기 카르복실기, 산 무수물기와 에폭시기와의 반응은 통상법에 따라 행할 수 있고, 상기 폴리아미드이[0060]
미드 수지의 분자쇄 양쪽 말단에 카르복실기가 잔존해 있는 경우에는, 상기 카르복실기에 대하여 등몰 이상의
에폭시기를 반응시킬 수 있고, 또한 상기 폴리아미드이미드 수지의 한쪽 말단에 카르복실기가 잔존하고, 다른
쪽 말단에 산 무수물기가 잔존해 있는 경우에는, 상기 카르복실기와 산 무수물기의 합계에 대하여 등몰 이상의
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에폭시기를 반응시킬 수 있다. 또한, 반응 온도는 30 내지 130℃, 반응 시간은 1 내지 10 시간 정도로 하고,
필요에 따라 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 용매를 이용하여 행하는
것이 바람직하다.
(A) 성분으로는 시판품을 이용할 수 있고, 시판품으로는 콤포세란 H900-2, H901-2, H901-2D(아라카와 가가꾸 고[0061]
교 제조) 등을 들 수 있다.
(B) 성분은 평균 입경이 0.05 내지 10 ㎛인 구형 금속 산화물 미립자이다. 이 구형 금속 산화물 미립자로는[0062]
0.7 내지 1.0의 와델(Wadell)의 구형도를 갖는 것이 바람직하다.
여기서, "와델의 구형도"(화학 공학 편람, 마루젠 가부시끼가이샤 발행 참조)란, 입자의 구형도를 (입자의 투영[0063]
면적과 동일한 원의 직경)/(입자의 투영상에 외접하는 최소원의 직경)으로 측정하는 지수로서, 이 지수가 1.0에
가까울수록 진구체에 가까운 입자임을 의미한다. 본 발명의 구형 금속 산화물 미립자는 와델의 구형도가, 보다
바람직하게는 0.9 내지 1.0, 특히 바람직하게는 0.95 내지 1.0이다. 와델의 구형도가 0.7 미만이면, (B) 성분
의 충전량이 증대했을 때에 조성물의 요변성이 증대하게 될 수 있다.
저요변성 측면에서, (B) 성분으로는 진구형 금속 산화물 미립자를 60 내지 100 질량％, 특히 80 내지 100 질량[0064]
％ 함유하는 구형 금속 산화물 미립자가 바람직하다. 한편, 본 명세서에 있어서, "진구형"이란 구형도가 0.95
내지 1의 범위에 있는 약간 변형된 구도 포함하는 개념이다.
또한, "평균 입경"이란 "부피 평균 입경"을 의미하고, 예를 들면, (주) 호리바 세이사꾸쇼사 제조의 레이저 회[0065]
절 산란식 입도 분포 측정 장치(상품명: LA910)에 의해 자동화된 방식으로 측정할 수 있다.
구형 금속 산화물 미립자의 평균 입경은 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛이다.[0066]
또한, 구형 금속 산화물 미립자는 진구형 금속 산화물 미립자인 것이 바람직하다.
구형 금속 산화물 미립자는 1종의 금속 산화물의 미립자일 수도 있고, 2종 이상의 금속 산화물(즉, 복합[0067]
산화물)의 미립자일 수도 있다. 1종의 금속 산화물의 구체예로는, 규소, 알루미늄, 마그네슘, 지르코늄, 티탄
등의 금속의 산화물인 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2) 등을 들 수 있다. 복
합 산화물의 구체예로는, 상기 금속의 복합 산화물인 실리카-알루미나 복합 산화물, 실리카-티타니아 복합 산화
물, 실리카-지르코니아 복합 산화물, 실리카-마그네시아 복합 산화물, 알루미나-마그네시아 복합 산화물 등의 2
성분계 복합 산화물이나, 실리카-알루미나-마그네시아 복합 산화물, 실리카-알루미나-티타니아 복합 산화물, 실
리카-티타니아-마그네시아 복합 산화물 등의 3성분계 복합 산화물 등을 들 수 있다. 이들 구형 금속 산화물 미
립자의 예시 중에서도 구형, 특히 진구형 실리카 미립자를 주성분으로 하는 (즉, 60 내지 100 질량％ 함유) 것
이 바람직하다.
구형 금속 산화물 미립자는 임의로 제조된 것일 수 있지만, 금속을 연소시켜 얻어진 금속 산화물 미립자가 바람[0068]
직하다. 이 금속을 연소시켜 얻어진 금속 산화물 미립자는 규소, 알루미늄, 마그네슘, 지르코늄, 티탄 등의 금
속 분말; 멀라이트 조성(3Al2O3·2SiO2 내지 2Al2O3·SiO2)으로 조합한 알루미늄 분말과 실리콘 분말; 스피넬 조
성(MgAl2O4)으로 조합한 마그네슘 분말과 알루미늄 분말; 코젤라이트 조성(2MgO·2Al2O3·5SiO2)으로 조합한 알루
미늄 분말과 마그네슘 분말과 실리콘 분말; 등의 금속 분말 혼합물을 캐리어 가스와 함께 산소를 포함하는 분위
기 중에서 연소시켜 화학 불꽃을 형성시켜서, 이 화학 불꽃 중에 목적으로 하는 실리카, 알루미나, 티타니아,
지르코니아 등의 1종의 금속의 산화물 또는 복합 산화물의 미립자(특히 초미립자)를 얻을 수 있다. 이들 금속
을 연소시켜 얻어진 금속 산화물 미립자 중에서도 구형, 특히 진구형 실리카 미립자를 주성분으로 하는 (즉, 60
내지 100 질량％ 함유하는) 것이 바람직하다.
구형 금속 산화물 미립자는 표면 처리된 것일 필요는 없지만, 표면이 실라잔류 및/또는 실란 커플링제로 처리된[0069]
것이 바람직하다.
상기 실라잔류는, 예를 들면 헥사메틸디실라잔(HMDS), 헥사페닐디실라잔 등의 실라잔류, 또는 이들 중 2종 이상[0070]
의 조합이다. 이들 중에서도 헥사메틸디실라잔이, 실리카의 응집을 억제하고, 산성인 실리카를 염기성으로 기
울게 하여, 유기물에 대한 친화성을 향상시키고, 균일성을 향상시키고, (A) 성분의 수지에 대한 안정성을 향상
시키는 등의 면에서 바람직하다.
상기 실란 커플링제는, 예를 들면 아미노기, 글리시딜기, 머캅토기, 우레이도기, 히드록시기 및 알콕시기로 이[0071]
루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 활성기(반응성 유기 관능기)를 갖는 화합물, 또는 그의 조합(예를 들면,
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알콕시기와 그 밖의 반응성 관능기의 조합)이다. 실란 커플링제의 구체예로서는, γ-글리시독시프로필트리에톡
시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시 관능성기 함유 오르가노알콕시실란, 아미노
프로필트리에톡시실란, 우레이도프로필트리에톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노관능성기
함유 오르가노알콕시실란, 페닐트리메톡시실란 등의 아릴알콕시실란, 메틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시
실란 등의 알킬알콕시실란, 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란 등의 알케닐알콕시실란, γ-머캅토프로필
트리메톡시실란 등의 머캅토 관능성기 함유 오르가노알콕시실란 등을 들 수 있다.
한편, 처리 방법으로서는 공지된 방법을 채용할 수 있다. [0072]
구형 금속 산화물 미립자로서는, 시판품으로서 가부시끼가이샤 애드마테크의 애드마파인 SE 시리즈 및 SC 시리[0073]
즈 등을 들 수 있다.
(B) 성분은 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있지만, (B) 성분의 배합량은 (A) 성분 100[0074]
질량부에 대하여 5 내지 350 질량부, 바람직하게는 5 내지 300 질량부, 보다 바람직하게는 10 내지 200 질량부
이다. 이 배합량이 5 질량부보다도 적은 경우에는 양호한 스크린 인쇄성이 얻어지지 않을 수 있고, 또한 350
질량부를 초과하는 경우에는 (A) 성분의 수지의 본래 특징인 기재와의 접착성이 손상될 수 있다.
본 발명의 스크린 인쇄용 수지 조성물은 본 성분의 구형 금속 산화물 미립자를 이용함으로써, 상기 배합량에 있[0075]
어서도 요변성을 낮게 억제하는 것이 가능하고, 형성된 패턴은 메쉬눈 잔류물, 번짐, 탈포성의 악화 등을 야기
하지 않고 균일한 막 두께가 얻어진다.
한편, 금속 산화물 분체로서, 상기 효과를 손상시키지 않는 범위에서 용융 금속 산화물 분체, 금속 산화물 파쇄[0076]
물, 연무질 금속 산화물(퓸드 금속 산화물) 등의 비구형 산화물 분체를 병용할 수 있다. 비구형 금속 산화물
분체의 병용 비율은 (B) 성분의 구형 금속 산화물 분체 100 질량부에 대하여 25 질량부 이하(0 내지 25 질량
부), 특히 20 질량부 이하(0 내지 20 질량부)인 것이 바람직하다.
(C) 성분의 유기 용제에는, (A) 성분의 수지를 부분적으로 또는 완전히 용해시킬 수 있는 것을 사용할 수 있다.[0077]
(C) 성분의 구체예로서는, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 시클로펜타논, 시클로헥사논, γ-부티로락톤, N-메틸
피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 1,3-디메틸-2-이
미다졸리디논 등을 들 수 있고, 바람직하게는 비양성자성 극성 용매, 특히 바람직하게는 N-메틸피롤리돈, N-비
닐피롤리돈, 시클로헥사논, γ-부티로락톤 및 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논이다.
본 발명의 조성물로 형성되는 경화막이 20 ㎛ 이하의 박막인 경우에는, 스크린 인쇄에 의한 연속 성형성을 손상[0078]
시키지 않기 위해, 특히 비점이 200℃ 이상인 유기 용제를 병용하는 것이 바람직하다. 비점이 200℃ 이상인 유
기 용제로는, 예를 들면, γ-부티로락톤, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논을 들
수 있다.
한편, (C) 성분은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.[0079]
(C) 성분의 배합량은 상기 (A) 성분을 용해시킬 수 있는 유효량이며, 통상, 고형분량을 10 내지 80 질량％, 특[0080]
히 20 내지 70 질량％로 하는 양인 것이 바람직하다.
본 발명의 스크린 인쇄용 수지 조성물에는 추가로, (D) 에폭시 수지, (E)경화 촉진제를 배합할 수 있다. [0081]
본 발명의 (D) 성분의 1 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지는 특별히 제한은 없지만, 바람직한[0082]
예로서 하기 화학식 2로 표시되는 에폭시 수지를 들 수 있다.
<화학식 2>[0083]
[0084]
식 중, G는 글리시딜기이고, R은 수소 원자 또는 1가 탄화수소기를 나타내되, 단 전체 R 중 하나 이상은 1가 탄[0085]
화수소기이고, n은 0 또는 1 이상의 정수이다.
여기서, R로 표시되는 1가 탄화수소로서는, 탄소수가 1 내지 8, 특히 1 내지 6의 알킬기, 아릴기 등의 비치환[0086]
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또는 치환 1가 탄화수소기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, t-부틸기, 페닐기 등을 대표적인
것으로서 들 수 있다.
또한, 화학식 2의 에폭시 수지에 있어서, n은 0 또는 1 이상의 정수이지만, 바람직하게는 0 또는 1 내지 20의[0087]
정수, 특히 0 또는 1 내지 10의 정수이고, 화학식 2의 에폭시 수지는 상이한 n의 값을 갖는 에폭시 수지의 혼합
물일 수도 있다. 이 경우, 경화물의 유리 전이 온도를 가능한 한 높게 하기 위해서는, n이 0인 것을 70 질량％
이하, 바람직하게는 60 질량％ 이하이고, 평균 중합도를 나타내는 n의 평균치가 1 내지 3의 범위에 있는 분자량
분포를 갖는 에폭시 수지를 선택하는 것이 바람직하다. 여기서, n＝0인 것을 70 질량％보다 많이 포함하면, 유
리 전이 온도가 저하되는 경우가 있다.
상기 화학식 2의 에폭시 수지로는 구체적으로 하기 화학식 13 내지 15를 예시할 수 있다. [0088]
화학식 13
[0089]
화학식 14
[0090]
화학식 15
[0091]
식 중, t-Bu는 t-부틸기이고, OG는 를 나타내고, n은 상기한 바와 같다(이하, 동일).[0092]
본 발명에서는 상기 화학식 2의 에폭시 수지에 더하여, 다른 에폭시 수지, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수[0093]
지, 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜형 에폭시 수지, 또는 하기 화학식 16 내지 18로 표시
되는 에폭시 수지를 적절히 조합할 수 있다.
화학식 16
[0094]
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화학식 17
[0095]
화학식 18
[0096]
또한, 난연화를 위해 브롬화 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 브롬화 에폭시 수지로는 하기 화학식 19, 20을 들[0097]
수 있다.
화학식 19
[0098]
화학식 20
[0099]
이들 에폭시 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 이들 에폭시 수지의 사용량은[0100]
알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지 100 질량부에 대하여 1 내지 150 질량부가 바람직하고, 보다 바람직
하게는 2 내지 100 질량부이다. 1 질량부 미만이면 경화물의 기재에 대한 접착 강도가 얻어지지 않고, 한편,
150 질량부를 초과하면 경화물의 내열성을 저하시키는 경우가 있다.
이 경우, 상기 화학식 2의 에폭시 수지는 에폭시 수지 전체량 중 1 내지 100 질량％, 특히 5 내지 100 질량％인[0101]
것이 바람직하다.
본 발명의 (E) 성분의 경화 촉진제는 특별히 제한은 없지만, 상기 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지와[0102]
에폭시 수지와의 높은 반응성 측면에서, 아민계 촉매가 바람직하다. 아민계 촉매로는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸
-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸 유도체 등
을 배합할 수 있고, 이들 중에서 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 특히 바람직하게는 하기 화학식 21의
이미다졸 화합물을 사용하는 것으로, 이러한 구조의 이미다졸 화합물을 사용함으로써, 경화물의 고내열화, 고내
습화 및 고접착성을 부여할 수 있다.
화학식 21
[0103]
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식 중, Ph는 페닐기를 나타낸다.[0104]
그 밖의 경화 촉진제로서 인계 촉매, 구체적으로는 트리페닐포스핀, 트리페닐포스포늄트리페닐보레이트, 테트라[0105]
페닐포스포늄테트라페닐보레이트나 하기 화학식 22에 나타낸 바와 같은 화합물을 사용할 수도 있다.
화학식 22
[0106]
식 중, R
3
내지 R
10
은 수소 원자, 불소, 브롬, 요오드 등의 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 탄소수 2[0107]
내지 8의 알케닐기, 탄소수 2 내지 8의 알키닐기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 트리플루오로메틸기, 페닐기 등
을 들 수 있고, 모든 치환기가 동일하거나 상이할 수 있다.
이 (E) 성분의 경화 촉진제의 사용량은 알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지(A) 및 에폭시 수지(D)와의 합[0108]
계량 100 질량부에 대하여 0.001 내지 20 질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 10 질량부이다.
0.001 질량부 미만이면 단시간에 경화시킬 수 없는 경우가 있고, 20 질량부를 초과하면 조성물의 보존 안정성이
부족해지는 경우가 있다.
본 발명의 조성물에는 상기 (A) 내지 (E) 성분 외에도, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 예를[0109]
들면 산화 방지제, 열 안정제, 도전성 충전재, 안료, 염료 등의 착색제 등을 목적에 따라 첨가할 수 있다.
본 발명의 조성물은 상술한 (A) 내지 (C) 성분, 또는 (A) 내지 (E) 성분, 및 경우에 따라 포함되는 그 밖의 성[0110]
분을, 통상법에 의해 혼합하여 제조할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 교반 장치 및 가열 장치를 구비한
분쇄기, 3개 롤, 볼 밀, 유성형 믹서 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 혼합 장치를 적절히 2종 이상 조합하여
이용할 수도 있다.
상기 조성물을 실리콘 웨이퍼 등의 기체(基體) 표면에 도포하는 방법(스크린 인쇄법)은, 우선 기체의 표면을 필[0111]
요 패턴의 개구부를 갖는 마스크로 덮고, 스퀴지부에 조성물을 투입하고, 이어서 스퀴지를 이동시켜 조성물을
가압하면서 마스크 상을 이동시키고, 상기 마스킹 부재의 개구부에 조성물을 충전하고(충전 공정), 그 후, 마스
크를 제거함으로써, 상기 기체 표면에 조성물의 패턴을 형성시킨다. 이렇게 해서 형성된 조성물의 경화는, 예
를 들면 실온(20℃±5℃) 내지 200℃의 저온에서 단계적으로(예를 들면, 1 단계 또는 2 단계 이상의 경화 온도
에서) 경화를 행하고, 추가로 필요에 따라 200 내지 350℃의 고온 경화(후경화)를 행함으로써 이루어진다. 한
편, 후경화 시간은 통상적으로 0.1 내지 20 시간이다.
본 발명의 수지 조성물을 이용하여 스크린 인쇄법에 의해 형성되는 패턴은 해상도가 높고, 메쉬눈 잔류물이나[0112]
번짐, 탈포성의 악화 등을 야기하지 않고 균일한 막 두께가 얻어진다. 또한, 연속 성형성도 우수하기 때문에,
웨이퍼 수준에서의 반도체 소자 표면의 패시베이션막, 보호막, 다이오드, 트랜지스터 등의 접합부의 정션 보호
막, VLSI의 α선 차폐막, 층간 절연막, 이온 주입 마스크 등 외에, 인쇄 서킷 보드의 컨포멀 코팅, 액정 표면
소자의 배향막, 유리 섬유의 보호막, 태양 전지의 표면 보호막 또는 도전성 충전제를 배합한 도전성막 등의 형
성에 바람직한 스크린 인쇄용 수지 조성물로서 폭넓은 범위에 걸쳐 이용할 수 있다.
본 발명의 스크린 인쇄용 수지 조성물을 상기 반도체 소자 등의 보호막으로서 사용할 때에는 반도체 소자 및/또[0113]
는 리드 프레임에 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 이것을 가열 경화함으로써 예를 들면 두께 0.1 내지 100 ㎛ 정
도의 피막을 형성할 수 있다. 상기 경화 조건에 의해 경화막을 형성한 후, 반도체 밀봉용 에폭시 수지 성형 재
료를 몰딩함으로써 반도체 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료와 기재(예를 들면, Ni, Ag, Cu, Si, SiO2 등의 무기
기재)와의 접착성을 향상시킬 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 반도체 장치는 흡습 후의 땜납 리플로우에 있어
서 반도체 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료의 균열 및 기재(예를 들면, Ni, Ag, Cu, Si, SiO2 등의 무기 기재)와
의 박리가 보이지 않고, 신뢰성이 높은 것이다.
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<실시예>[0114]
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 여기에 한정되는 것은 아니다. [0115]
우선, 하기와 같이 스크린 인쇄용 수지 조성물의 각 성분을 준비하였다. [0116]
스크린 인쇄용 수지 조성물 성분[0117]
(가) 베이스 수지[0118]
수지 용액 A:[0119]
알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지 용액(콤포세란 H900-2: 아라카와 가가꾸 고교(주) 제조)를 수지 성분[0120]
40％로 제조하였다.
수지 용액 B: [0121]
알콕시실릴기 함유 폴리아미드이미드 수지 용액(콤포세란 H901-2: 아라카와 가가꾸 고교(주) 제조)를 수지 성분[0122]
40％로 제조하였다.
수지 용액 C(합성예): [0123]
교반기, 온도계 및 질소 치환 장치를 구비한 플라스크 내에, 테트라카르복실산 이무수물로서의 3,3',4,4'-비페[0124]
닐테트라카르복실산 이무수물 32.22 g(0.10 mol)과 N-메틸-2-피롤리돈 35 g을 넣고, 여기에 디아민으로서 1,3-
비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2.49 g(0.01 mol) 및 4,4'-디아미노디페닐에테르 18.02
g(0.09 mol)을 N-메틸-2-피롤리돈 20 g에 용해시킨 용액을 반응계의 온도가 50℃를 초과하지 않도록 조정하면서
서서히 적하하였다. 적하 종료 후, 추가로 실온에서 12 시간 교반하여 반응을 촉진시켜 황갈색의 투명한 폴리
아믹산 수지 용액을 얻었다. 이 용액의 점도는 250 Pa·s이고, 수지 고형분은 50.1 질량％였다. 이것을 수지
용액 C로 한다.
(나) 에폭시 수지[0125]
(1) [0126]
[0127]
연화점: 85℃, 에폭시 당량: 214[0128]
(n＝0:59 질량％, n＝1:24 질량％, n＝2:8 질량％, 기타: 9 질량％)[0129]
(2)[0130]
[0131]
연화점: 79℃, 에폭시 당량: 165[0132]
(n＝0:54 질량％, n＝1:31 질량％, n＝2:9 질량％, 기타: 6 질량％)[0133]
(3) 비스페놀 A 타입(에피코트(Epikote) 1001: JER사 제조)[0134]
연화점: 64℃, 에폭시 당량: 450[0135]
(다) 경화 촉진제[0136]
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2-메틸-4,5-디히드록시메틸이미다졸(2PHZ)[0137]
(라) 충전제[0138]
(1) 진구형 실리카 미립자(애드마파인 SC2500-SE: (주) 애드마테크 제조) 평균 입경 0.5 ㎛[0139]
(2) 퓸드 실리카(에어로질(AEROSIL) R972: 닛본 에어로질(주) 제조, 입자 형상은 무정형)[0140]
(마) 유기 용제[0141]
N-메틸-2-피롤리돈(NMP) [0142]
1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI)[0143]
표 1에 나타내는 조성(단위는 질량부)이 되도록 상기 (가) 내지 (마)의 성분을 균일하게 혼합하여 페이스트상[0144]
수지 조성물을 얻었다. 얻어진 조성에 대하여 하기와 같이 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
평가 방법[0145]
(가) 점도[0146]
23℃에서의 점도를 디지탈 점도계(브룩필드(BROOKFIELD)사 제조, 상품명: DV-II )을 이용하여 측정하였다. [0147]
(나) 스크린 인쇄성[0148]
스크린 인쇄기(C.W. PRICE CO. INC. 제조, 상품명: MODEL MC212) 및 스크린 마스크(325 메쉬, 유제 두께: 15[0149]
㎛, 메쉬 두께: 35 ㎛)를 이용하여 행하였다. 마스크의 설치, 스퀴지에 의한 조성물의 충전, 및 마스크의 제거
를 1회의 성형 공정으로 하여, 연속 성형을 100회 행한 후의 패턴 형상의 악화를 확인하였다. 그 후, 오븐에서
100℃에서 0.5 시간, 이어서 250℃에서 4시간 노출시켜 경화시키고, 얻어진 패턴에 대하여 메쉬눈, 발포 및 패
턴 가장자리의 번짐을 관찰하였다.
(다) 흡습 후의 접착성[0150]
표 1에 기재된 각종 시험편에 수지 조성물을 도포, 경화한 후, 에폭시 수지 조성물(KMC3580CA: 신에쓰 가가꾸[0151]
고교(주) 제조)를 바닥 면적 10 ㎜
2
, 높이 3 ㎜의 원통형으로 175℃, 6865 kPa(70 kg/㎠), 성형 시간 90초의 조
건으로 성형하고, 180℃에서 4 시간 후경화하였다. 이것을 85℃/85％ RH의 분위기에 168 시간 방치하고, 추가
로 260℃, IR 리플로우 후, 푸쉬풀 게이지에 의해 성형물과 각종 시험편과의 박리력을 측정하였다.
(라) 히트 사이클에 의한 균열 내성[0152]
9.0 ㎜×4.5 ㎜×0.5 ㎜ 크기의 실리콘 칩을 14PIN-IC 프레임(42 합금)에 접착하고, 그 후, 표 1에 기재된 수지[0153]
조성물을 도포, 경화한 후, 여기에 상기 에폭시 수지 조성물을 175℃, 90초로 성형하고, 180℃에서 4 시간 후경
화한 후, -50℃, 30분 내지 180℃, 30분의 히트 사이클을 반복하고, 1,000 사이클 후의 수지 균열 발생률을 측
정하였다.
표 1로부터, 실시예는 비교예에 비해 점도가 낮은 경향이 있고, 인쇄성도 우수함을 확인할 수 있다. 또한, 흡[0154]
습 후의 접착성 및 히트 사이클에 의한 균열 내성에 대해서도 우수함을 확인할 수 있다.
등록특허 10-1269800
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표 1
[0155]
발명의 효과
본 발명에 따르면, 스크린 인쇄성이 양호하고, 메쉬눈 잔류물이나 번짐, 탈포성의 악화 등을 야기하지 않고 균[0156]
일한 막 두께가 얻어지며, 또한 연속 성형성도 우수한 스크린 인쇄용 수지 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 기재 및 플라스틱 재료와의 접착성이 우수하고, 반도체 패키지의 열적 스트레스에 의한 칩 균열이나 열[0157]
열화를 효율적으로 해소하여, 내열성이 우수한 경화물을 제공하고, 반도체 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료를 이
용하여 반도체를 밀봉할 때의 보호막 재료로서 유효한 스크린 인쇄용 수지 조성물을 제공할 수 있다.
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